日立2011年新推出了SU9000高分辨冷場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡,達(dá)到掃描電鏡世界*二次電子分辨率0.4nm和STEM分辨率0.34nm。日立SU9000采取了全新改進(jìn)的真空系統(tǒng)和電子光學(xué)系統(tǒng),不僅分辨率性能明顯提升,而且作為一款冷場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡甚至不需要傳統(tǒng)意義上的Flashing操作,可以高效率的快速獲取樣品高分辨掃描電鏡圖像。
特點(diǎn):
1. *電子光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)達(dá)到掃描電鏡世界*分辨率:二次電子0.4nm(30KV),STEM 0.34nm(30KV)。
2. Hitachi設(shè)計(jì)的E×B系統(tǒng),可以自由控制SE和BSE檢測(cè)信號(hào)。
3. 全新真空技術(shù)設(shè)計(jì)使得SU9000冷場(chǎng)發(fā)射電子束具有穩(wěn)定和高亮度特點(diǎn)。
4. 全新物鏡設(shè)計(jì)顯著提高低加速電壓條件下的圖像分辨率。
5. STEM的明場(chǎng)像能夠調(diào)整信號(hào)檢測(cè)角度,明場(chǎng)像、暗場(chǎng)像和二次電子圖像可以同時(shí)顯示并拍攝照片。
6. 與FIB兼容的側(cè)插樣品桿提高更換樣品效率和高倍率圖像觀察效率。
項(xiàng)目 | 技術(shù)指標(biāo) | |||
二次電子分辨率 | 0.4nm (加速電壓30kV,放大倍率80萬倍) | |||
1.2nm (加速電壓1kV,放大倍率25萬倍) | ||||
STEM分辨率 | 0.34nm(加速電壓30kV,晶格象) | |||
觀測(cè)倍率 | 底片輸出 | 顯示器輸出 | ||
LM模式 | 80~10000x | 220~25000x | ||
HM模式 | 800~3000000x | 2200~8000000x | ||
樣品臺(tái) | 側(cè)插式樣品桿 | |||
樣品移動(dòng)行程 | X | ±4.0mm | ||
Y | ±2.0mm | |||
Z | ±0.3mm | |||
T | ±40度 | |||
標(biāo)準(zhǔn)樣品臺(tái) | 平面樣品臺(tái):5.0mm×9.5mm×3.5mmH | |||
截面樣品臺(tái):2.0mm×6.0mm×5.0mmH | ||||
樣品臺(tái) | 截面樣品臺(tái):2.0mm×12.0mm×6.0mmH | |||
雙傾截面樣品臺(tái):0.8mm×8.5mm×3.5mmH | ||||
信號(hào)檢測(cè)器 | 二次電子探測(cè)器 | |||
TOP 探測(cè)器(選配) | ||||
BF/DF 雙STEM探測(cè)器(選配) |
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